Магистратура «Материалы и устройства функциональной электроники и фотоники» — это:

Нацеленность на освоение междисциплинарных технологий, конвергенцию исследований в области материаловедения, компонентной базы и системотехники функциональной электроники, радиофотоники и квантово-чувствительной сенсорики

Исследования и практика в рамках уникальной научной школы в области технологии сложных полупроводниковых материалов и структур

Технологический центр с современным оборудованием и возможностью создания монолитных и гибридных интегральных схем, матричных детекторов, сенсоров; технология молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек в органических и неорганических системах

Специалисты с большим опытом совместной работы в рамках крупных НИОКТР с российскими и зарубежными компаниями, ведущими научными центрами (ОИЯИ, CERN, ESRF, DESY, STFC RAL и др.)


Подать заявку



Цель

Электронику ближайшего будущего ожидают кардинальные изменения в идеологии и технологии построения компонентной базы. Одним из самых перспективных направлений, способных обеспечить конкурентоспособность отечественной техники, является развитие материалов и систем функциональной электроники и фотоники будущего. Развитие аддитивных технологий органических, неорганических и гибридных полупроводников, модифицированных полифункциональных материалов сложного состава и структур на их основе позволит конструировать на новых принципах интегрированные устройства и системы функциональной электроники и радиофотоники.
Цель программы – подготовка высококвалифицированных специалистов в области теории, методов и средств создания приборов и устройств современной и будущей функциональной микро- и наноэлектроники, радиофотоники и системотехники для исследовательских лабораторий, промышленных предприятий и бизнес-структур.

Преимущества

Привлечение ведущих партнеров

icon

Работа с уникальным научным и технологическим оборудованием

Участие в международных проектах



Формирование системного подхода

icon

Обучение у лучших специалистов

Нацеленность на прикладные разработки


Особенности

Магистранты второго курса получат возможность осваивать специальные дисциплины, вести научно-исследовательскую работу и проходить практики в Объединенном институте ядерных исследований (ОИЯИ, г. Дубна, Московская обл.) – одном из крупнейших международных научных центров, который успешно сочетает фундаментальные исследования с развитием новых технологий. Студенты примут участие в экспериментах мирового уровня в области ядерной физики, физики элементарных частиц, а также присоединятся к разработке, монтажу и наладке оборудования вновь создаваемых установок, в частности, уникального ускорителя протонов и тяжелых ионов NICA.

Поступление


ООП магистратуры «Материалы и устройства функциональной электроники и фотоники» по
направлению 03.04.03 Радиофизика открыта в НИ ТГУ с 9 апреля 2018 года.
Бюджетных мест для поступления в 2018 г. — 10.
Возможно обучение на договорной основе.
Для поступления на программу необходимо наличие у абитуриента диплома бакалавра или специалиста или магистра.

Необходимые вступительные испытания:

  • экзамен по направлению 03.04.03. «Радиофизика», дисциплина — «Электроника»;
  • собеседование.

Максимальная оценка для каждого испытания – 100 баллов .
К сдаче вступительных испытаний допускаются абитуриенты, предоставившие все необходимые документы в приемную комиссию ТГУ.


Программа вступительных испытаний и иная официальная информация ООП (общая характеристика, учебный план, график, аннотации дисциплин и практик) опубликованы
в разделе Физика и астрономия / Радиофизика перечня магистерских программ НИ ТГУ. С общими правилами поступления в магистратуру, а также прочей необходимой и полезной информацией для абитуриентов ТГУ можно ознакомиться в соответствующих разделах сайта Томского госуниверситета.


Заинтересованы?

Отправьте нам заявку прямо сейчас!

Больше программ

Контакты


Учебный офис программы:
634045, Томск, ул.Ф.Лыткина, 28Г,
11-й учебный корпус ТГУ, ауд. 210,
+7(3882)413 463,
+7(913)856 35 55,
e-mail: mdfep@mail.tsu.ru,
smti.tsu.ru/ru/education/materials/


Радиофизический факультет
634045, Томск, ул.Ф.Лыткина, 28Г,
11-й учебный корпус ТГУ, ауд. 128
+7(3822)413 964,
+7(3822)412-573,
e-mail: decanat_rff@mail.tsu.ru,
rff.tsu.ru

Управление нового набора ТГУ:
634050, Томск, пр. Ленина, 36,
гл. корпус, ауд. 128.
+7(3822)529 772,
+7(3822)529 672,
e-mail: pk@mail.tsu.ru,
http://abiturient.tsu.ru/
http://www.tsu.ru/education/magistratura/