Прогнозирование свойств новых материалов и технологий

Н1 связано с подготовкой научно-образовательных кадров, способных осуществлять моделирование и прогноз свойств материалов и режимов технологий во взаимосвязи с экспериментальными данными для Н2-Н5. В рамках Н1 ТГУ обеспечена высокая конкурентоспособность в области прогнозирования свойств материалов (объемные и слоистые материалы, гетероструктуры, покрытия) на основе технологий математического и компьютерного моделирования.
Научные разработки направлены на развитие современных подходов к компьютерному прогнозированию свойств новых нано- и мезоструктурных материалов, теоретических расчетов технологических стадий получения объемных и поверхностных материалов.
Разработка методов компьютерного моделирования процессов роста и технологии получения наноструктур, определение электронных и оптических состояний квантово-размерных структур на поверхности и в объеме полупроводников в зависимости от формы, химического состава и размера.

Разработка, совместно с партнерами, фундаментальных основ создания:

  • новых материалов для наноэлектронных и спинтронных приборов
  • новых методов построения, исследования и квантования нелинейных физических моделей, включая построение совместных и стабильных взаимодействий в квантовой теории поля
  • мультимасштабного компьютерного моделирования процессов роста полупроводниковых наноструктур
  • физических моделей характеристик, создаваемых наноконструкций с учетом параметров выращенных квантовых ям или точек
  • получение эпитаксиальными методами селективных фотоприемников с управляемыми характеристиками

Разработка технологий органической молекулярной и полупроводниковой электроники и синтеза новых эффективных светоизлучающих и фоточувствительных органических материалов; технологий плазменно-иммерсионной ионной имплантации и осаждения для модификации поверхности изделий со сложно-разветвленной формой.